MOSFET kênh N công suất cao 6R099C6 IPW60R099C6 650V 38A TO-247
Là dòng mosfet công suất cao, điện trở thấp, được sử dụng trong các thiết bị công suất cao trong công nghiệp
Thông số kỹ thuật
- Điện áp VDS: 650V
- Dòng điện Id: 37.9A (TC = 25°C); 24A (TC = 100°C)
- Dòng điện xung đỉnh Id-puls: 112A
- Điện áp VGS cố định: ±20V
- Điện áp VGS AC (f>1Hz): ±30V
- Nhiệt độ hoạt động: -55~150°C
- Datasheet: IPW60R099C6